Materiales semiconductores con un amplio ancho de banda como el SiC, Si3N4 y AlN son de creciente interés en investigación y desarrollo para su uso en fotocatálisis. Actualmente es posible obtener SiC y AlN amorfo hidrogenado mediante la técnica de RF sputtering en una atmosfera rica en hidrógeno. Una posible aplicación del carburo de silicio amorfo hidrogenado (a-SiC:H) y dopadas con tierras raras es su uso como foto-electrodo para dispositivos foto electro-químicos en la producción de hidrógeno por electrólisis del agua utilizando luz solar. En el presente proyecto, se depositan películas delgadas de a-SiC:H y a-AlN:RE por RF sputtering. Estas películas son caracterizadas ópticamente y electroquímicamente con el fin de evaluar la fotocorrosión y sus propiedades ópticas.