El presente proyecto tiene por objetivo producir películas delgadas semiconductoras con amplio ancho de banda prohibida (AlN, SiC) dopadas con tierras raras (Tb/Yb, Er/Yb) para el desarrollo de convertidores descendentes y ascendentes en celdas solares. Las películas son producidas usando la técnica de pulverización catódica de radiofrecuencia. Las propiedades luminiscentes, ópticas y estructurales son investigadas a diferentes concentraciones de dopaje de las tierras raras y a distintas temperaturas de tratamiento térmico de las películas. Los procesos de conversión ascendente y descendente son investigados a través de medidas de excitación, emisión y espectroscopia resuelta en el tiempo que indiquen la transferencia de energía entre los iones de tierra rara. El cambio en la intensidad de la emisión debido a la desactivación (quenching) se evalúa a distintas concentraciones de dopaje y distintas temperaturas de tratamiento térmico. Los valores de concentración y temperatura que optimicen el proceso de conversión ascendente y descendente en la película son determinados. El análisis estructural (a través de experimentos de XRD, SEM y EDX) complementa la investigación para establecer una correspondencia entre la emisión óptica y las propiedades estructurales, tal como predice la teoría de Judd-Ofelt en el tratamiento formal del espectro de las tierras raras. Este análisis es revisado y aplicado para determinar los parámetros de Judd-Ofelt y calcular la eficiencia en la emisión de la película delgada producida.