Thin films of molybdenum nitride were deposited on silicon wafers (111) by means of the DC reactive magnetic sputtering technique, at the substrate temperature of 100, 200, 300 and 400 °C, in the gas mixture (Ar+N ) at the working pressure of 4,3x-3 torr. The composition of the films has been defined with Auger Electron Spectroscopy (AES). X-ray diffraction shows that such films have a preferential crystallographic orientation along the plane (112) and the grain size increases from 8,21 to 13,16 nm in the range of 100 to 400 °C the substrate temperature. The resistivity of the films decreases with increasing substrate temperature from 74,20 to 2,45 μΩ.cm showing ohmic characteristics. The lowest value of the electrical resistivity was 2,45 μΩ.cm at the substrate temperature of 400 °C.

Películas delgadas de nitruro de molibdeno fueron depositadas sobre obleas de silicio (111) mediante la técnica de la pulverización catódica magnética reactiva DC, a la temperatura de sustrato de 100, 200, 300 y 400 °C, en la mezcla de gases (Ar+N2) a la presión de trabajo de 4,3x-3 torr. La composición de las películas ha sido definida con espectroscopia Auger (AES). La difracción de rayos X muestra que tales películas presentan una orientación cristalográfica preferencial a lo largo del plano (112) y el tamaño de grano se incrementa desde 8,21 a 13,16 nm en el rango de 100 a 400 °C de la temperatura de sustrato. La resistividad de las películas disminuye con el aumento de la temperatura de sustrato desde 74,20 a 2,45 μΩ.cm mostrando características óhmicas. El valor más bajo de la resistividad eléctrica fue de 2,45 μΩ.cm a la temperatura de sustrato de 400 °C.